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  • 调幅式电容位移E+E传感器的峰值检波电路
    调幅式电容位移E+E传感器的峰值检波电路

    调幅式电容位移E+E传感器的峰值检波电路 针对调幅式电容位移E+E传感器解调过程中由系统不确定相移导致的信号解调不准确问题,提出了一种基于改进的峰值保持电路的调幅式电容位移传感测量方法。分析了调幅式电容位移E+E传感器及其检测电路的工作原理,在研究调幅信号附加相移产生机理的基础上,提出了延迟反馈式峰值保持电路,用以去除附加相移对峰值解调的影响。

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  • 真空微电子E+E压力传感器的研究
    真空微电子E+E压力传感器的研究

    真空微电子E+E压力传感器的研究 压力是过程自动化五大参量中的首要参量,作为压力信息获取的核心元件的E+E压力传感器,在石油、化工、冶炼、电力、仪器仪表、机械、汽车、智能结构、航空航天、国防等领域中是*、量大面广的基础元件,它已经成为现代信息技术的重要组成部分,在当代科技领域中占有十分重要的地位。

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  • 嵌入式的智能E+E压力传感器的研究
    嵌入式的智能E+E压力传感器的研究

    嵌入式的智能E+E压力传感器的研究 压阻式E+E压力传感器是利用半导体材料硅的压阻效应制成的传感器,具有灵敏度高,动态响应快,测量精度高,稳定性好,工作温度范围宽,易于小型化与微型化,便于批量生产与使用方便等特点。

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  • 碳/硅纳米管E+E压力传感器分子动力学
    碳/硅纳米管E+E压力传感器分子动力学

    碳/硅纳米管E+E压力传感器分子动力学 自碳纳米管和硅纳米管/线被发现以来,以其特殊的力电特性引起了科学家广泛的关注。特别是在运用E+E压力传感器方面,可以显著提高传感器的灵敏度和量程。因此,以碳纳米管和硅纳米管/线为研究对象,使用分子动力学方法和压电理论分析了新型的碳纳米管和硅纳米管/线E+E压力传感器的各项力电性能。

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  • 数字式E+E压力传感器研究
    数字式E+E压力传感器研究

    数字式E+E压力传感器研究 机械式压力开关和有源压力敏感元件复合组成的E+E压力传感器,在高冲击10000g,宽温度范围-40℃~100℃条件下,实现量程范围0~1MPa的高精度测量,具有模拟线性输出、TTL电平输出、数字输出和数据通信功能的复合E+E压力传感器。

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  • 多晶硅纳米膜E+E压力传感器温度补偿技术
    多晶硅纳米膜E+E压力传感器温度补偿技术

    多晶硅纳米膜E+E压力传感器温度补偿技术 多晶硅纳米膜是一种具有良好压阻特性的纳米材料,基于多晶硅纳米膜的E+E压力传感器具有灵敏度高、动态响应好、精度高、稳定性好、易于小型化和批量生产等诸多优点。

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  • 应变式光纤珐珀E+E压力传感器
    应变式光纤珐珀E+E压力传感器

    应变式光纤珐珀E+E压力传感器 光纤珐珀传感器具有体积小、耐高温、耐腐蚀等优点可以应用于石油井下、航空航天等复杂的环境中。在157 nm激光器制作光纤珐珀传感器的基础之上,提出了两种MPa量程的E+E压力传感器设计方案,封装了传感器原理样品,并进行了性能测试。

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  • MEMS高线性电容式E+E压力传感器检测电路优化
    MEMS高线性电容式E+E压力传感器检测电路优化

    MEMS高线性电容式E+E压力传感器检测电路优化 近年来随着MEMS传感器技术的飞跃和进步,微电容传感器在工艺上实现了易于集成化、功能多样化以及更加微型化。使得包括微型加速度计、微型温度传感器、微型E+E压力传感器、医学传感器、生物传感器等得到广泛应用。

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  • 金属化封装的光纤光栅E+E压力传感器
    金属化封装的光纤光栅E+E压力传感器

    金属化封装的光纤光栅E+E压力传感器 目前,绝大多数大坝渗压监测系统采用的机电测试设备普遍存在抗干扰能力弱、长期稳定性差、相对误差、零漂和动漂较大等缺点而很难满足实际需要。

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  • 多晶硅纳米膜E+E压力传感器芯片
    多晶硅纳米膜E+E压力传感器芯片

    多晶硅纳米膜E+E压力传感器芯片 硅基压阻式E+E压力传感器应用广泛,在传感器中具有十分重要的地位。该传感器的发展方向是小型化、高灵敏度、良好温度特性和集成化,研究表明多晶硅纳米薄膜具有良好的压阻特性,并较好地应用于体硅E+E压力传感器。但该材料现有的的压阻系数算法理论推导存在一定欠缺,且该材料的应用范围亟待扩大。

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  • 压力E+E传感器仿真平台的研究
    压力E+E传感器仿真平台的研究

    压力E+E传感器仿真平台的研究 随着计算机技术的不断发展,对压力E+E传感器新技术的不断需求,压力E+E传感器计算机辅助设计越来越被关注。以实用为原则,基于Visual C++和ANSYS接口技术开发了参数化压力E+E传感器有限元分析系统,该系统有助于推动压力E+E传感器行业向更高水平发展。

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  • 耐高压电涡流位移E+E传感器的研究
    耐高压电涡流位移E+E传感器的研究

    耐高压电涡流位移E+E传感器的研究 电涡流E+E传感器是一种非接触式的位移E+E传感器,具有频率响应好,测量分辨率高,无运动部件,性能可靠等优点。常应用于位移测量、无损探伤、厚度测量等方面。但也存在不能在高压环境下(如液压系统)工作和对温度敏感等不足。

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  • 纳米位移E+E传感器信号采集与处理
    纳米位移E+E传感器信号采集与处理

    纳米位移E+E传感器信号采集与处理 随着现代科学技术的不断发展,众多高科技领域均已进入了纳米世界,如航天产品的加工与制造、精密元器件的测量、高密度集成电路等等。由于纳米尺度具有接近于原子和分子尺寸的特点,一般的常规技术已不再适用,因此,研究纳米技术,特别是纳米操作与测量技术就成为当前各国研究的热点方向。

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  • 差分式电容位移E+E传感器标定平台
    差分式电容位移E+E传感器标定平台

    差分式电容位移E+E传感器标定平台 电容位移E+E传感器作为一种传统非接触式E+E传感器,具有结构简单、响应时间短、分辨率高、适合在线和动态测量等优点,主要用于位移、角度、振动、加速度、压力以及浓度等方面的测量,被广泛用于地球科学、高科技电子、航空航天及工业应用领域。

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  • 电容位移E+E传感器温度漂移主动抑制技术
    电容位移E+E传感器温度漂移主动抑制技术

    电容位移E+E传感器温度漂移主动抑制技术 电容式位移E+E传感器由于具有分辨率高、频响高、可实现非接触式测量等优点,在精密加工、高精度定位、超精密测量等领域得到广泛的应用。由于电容位移E+E传感器信号转换和处理电路存在模拟环节,因此其传感特性易寄生电容等寄生参数和温度的影响。

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  • 直线式时栅位移E+E传感器精度研究
    直线式时栅位移E+E传感器精度研究

    直线式时栅位移E+E传感器精度研究 时栅是采用“以时间测空间”的思想原理,*不同于光栅等基于空间精密刻划技术的各种传统位移E+E传感器,历经十几年的努力,圆分度时栅位移E+E传感器的研究已有很大突破,已在计量部门、制造业和国防军工三大领域获得快速推广,充分展现其制造工艺简单、抗干扰能力强、成本低、智能化程度高等显著优势,具有很好的市场前景。

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  • 平面环形微腔的高精度位移E+E传感器设计
    平面环形微腔的高精度位移E+E传感器设计

    平面环形微腔的高精度位移E+E传感器设计 提出了一种可用于原子力显微镜的基于平面环形微腔的高精度位移E+E传感器。E+E传感器在GaAs薄膜结构上实现了悬臂梁与平面环形微腔的一体化集成,以平面环形微腔的透射谱对悬臂梁位移极其敏感的特性为理论依据,结合了光学E+E传感器的高精度、高灵敏度特性以及微机械的体积小、工艺成熟等优点。

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  • 线位移E+E传感器自动校准装置研究
    线位移E+E传感器自动校准装置研究

    线位移E+E传感器自动校准装置研究 线位移E+E传感器在国防军工产品生产、试验过程中用途很多,其校准工作在航天航空设备制造和试验过程中非常重要,线位移E+E传感器的校准技术决定了E+E传感器校准的精度和效率,而当前主要使用的线位移校准设备,存在工作效率低、测量可靠性差、测量范围小(量程在200mm以下)等缺点,难以确定线位移E+E传感器性能指标的可靠性。

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  • 高精度反射式塑料光纤位移E+E传感器
    高精度反射式塑料光纤位移E+E传感器

    高精度反射式塑料光纤位移E+E传感器 随着当今社会飞速发展,光纤位移E+E传感器具有结构简单、设计灵活、价格低廉等优点,因而在通信、城市建设、医疗、交通、能源和航天等工业中有着广泛的应用和良好的发展潜力。微位移检测是常规检测的基础,而光纤位移E+E传感器可实现微距的非接触测量,因此将光纤传感技术应用于测量领域,成为技术发展的主导方向,备受人们关注。

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  • 电感位移E+E传感器及其信号线性化处理
    电感位移E+E传感器及其信号线性化处理

    电感位移E+E传感器及其信号线性化处理 电感位移E+E传感器具有结构简单可靠、输出功率大、线性好、抗干扰和稳定性好、价格低廉等特点。它是利用电磁感应原理将机械位移变化转换成电量输出的检测装置。其作为一种精密的位移检测部件在很多领域都起着重要的作用。

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