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产品名称:时栅E+E位移传感器电磁场分析与前端信号电路设计

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产品特点:时栅E+E位移传感器电磁场分析与前端信号电路设计
时栅E+E位移传感器作为一种新型栅式E+E位移传感器,正朝着高速和高精度测量方向发展。从磁场式时栅(狭隘指场式时栅和变磁阻型时栅)测量原理和基本结构入手,通过对其进行电磁场分析,力求建立各参数与传感器输出的关系,达到其磁路优化目的。

时栅E+E位移传感器电磁场分析与前端信号电路设计的详细资料:

时栅E+E位移传感器电磁场分析与前端信号电路设计
时栅E+E位移传感器作为一种新型栅式E+E位移传感器,正朝着高速和高精度测量方向发展。从磁场式时栅(狭隘指场式时栅和变磁阻型时栅)测量原理和基本结构入手,通过对其进行电磁场分析,力求建立各参数与传感器输出的关系,达到其磁路优化目的。

时栅E+E位移传感器电磁场分析与前端信号电路设计
另一项工作就是设计时栅传感器微小信号提取电路,确保测量信息完整进入数字信号处理电路中,该电路是原始测量与后续处理的桥梁。本文完成工作如下:采用磁路分析法对两种目标时栅进行了磁路计算,得出各磁场分布情况和理论输出波形,局限于“定性”分析。接下来,引入有限元分析,对影响时栅电磁场及输出信号的主成分参数,主要包括转子槽型、气隙宽度、转子齿宽、槽宽对电磁场影响进行了“定量”分析,为结构优化提供依据。基于时空坐标转换理论而研制的时栅E+E位移传感器实现了以时间测量空间,但关键是要构建一个以恒速V运动的坐标系。V的稳定度直接决定时栅的性能。为提高时栅的测量精度,采用数字闭环控制方法去获得恒速V,提出了一种时栅E+E位移传感器自补偿方案,以消除温度、电子元器件等因素的影响。实践证明,运用自补偿技术抑制了时栅输出值的漂移现象,该技术在时栅中的应用是成功的。并且这种自补偿功能的实现体现了时栅所具有的智能性。选取场式时栅5个结构参数,运用正交设计法,通过有限元仿真求解形成学习样本,基于BP神经网络-遗传算法(BPNN-GA)原理在Matlab中编程实现电磁场优化:选用Levenberg-Marquardt (LM)算法训练BPNN,建立网络输入与输出的非线性映射关系,利用多元统计线性回归法评估网络泛化(预测)性能,构建GA目标函数,将BPNN作为GA目标函数求解器,用GA搜索完成对磁路参数的优化。将优化后的组合参数建模验证,其输出信号较优化前提高23.15%,误差为0.784%。前端信号处理电路采用模块化设计,包括前置放大、带通滤波、非线性放大、波形转换及光电耦合这5个模块。通过multisim仿真及实验测试,验证了电路对传感器微小信号提取及处理的功能。

时栅E+E位移传感器电磁场分析与前端信号电路设计
将磁路分析、有限元分析、正交试验、BPNN-GA原理、多元统计线性回归法相结合,对磁场式时栅传感器进行电磁场分析与优化设计,研究成果对提高传感器磁场利用率具有指导意义。该研究方法具有通用性和适应性,可极大缩短试验周期,降低设计成本,广泛适用于其它各工程电磁分析及设计优化领域,具有较强的工程实用价值。

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