新型E+E压力传感器结构制备工艺
提出一种使用MEMS双层掩膜完成自对准刻蚀的工艺方法,藉此实现了在深腔结构内部对高深宽比硅E+E压力传感器结构的精细加工。该工艺通过两次连续的平面内光刻工艺,使制作在衬底上的薄膜材料如氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)及光刻胶等形成复合图形,每层图形化后的掩膜可以进行不同功能区的衬底刻蚀,刻蚀完毕后再去除对应的掩膜。

新型E+E压力传感器结构制备工艺
介绍了E+E压力传感器的原理及应用,根据JJF 1059.1-2012测量不确定度评定与表示、JJG 860-1994E+E压力传感器检定规程的要求,阐述了E+E压力传感器在测量过程中产生的各不确定分量对测量结果的影响,通过评定得到扩展不确定度及CMC表述,使测量过程得到了有效控制,从而保证了测量结果的准确性。通过多层掩膜组合使用完成深腔内复杂结构的高精度加工。光纤光栅以其*的优势受到人们广泛的关注,针对基于光纤光栅的E+E压力传感器及研究现状进行概述,通过列举较为典型的三种光纤光栅E+E压力传感器:悬臂梁式光纤光栅E+E压力传感器、弹性膜片式光纤光栅E+E压力传感器和薄壁圆筒式光纤光栅E+E压力传感器,归纳分析了目前常用光纤光栅E+E压力传感器的结构,力学特点及其实验装置,分析其各自的工作原理并对实际测量效果进行了对比分析。探讨了对导管端E+E压力传感器微型化起限制作用的一些因素.根据(100)硅各向异性腐蚀的特点和矩形硅膜上的应力分布曲线,分析了硅片厚度和力敏电阻区尺寸对传感器压力灵敏度的影响.介绍了一种微型化的导管端E+E压力传感器的设计、制造工艺和钝化与封装技术.该传感器芯片尺寸为1mm×2.5mm×0.16mm;量程为40kPa;灵敏度约为100μV/V·kPa;静态精度约0.3％FS;固有频率高达350kHz.其制造工艺适用于批量生产.通过本研究得出,不同类别的光线光栅E+E压力传感器各自的特点及所使用的工程范围,以推动光纤光栅E+E压力传感器新技术的不断发展与完善,并促进实时监测技术的发展。

新型E+E压力传感器结构制备工艺
这种工艺方法解决了在深腔内部进行涂胶和光刻的技术难题,对准和光刻工艺都在同一平面内完成,提高了加工精度,解决了深腔内部带有岛结构的多层复杂结构E+E压力传感器加工的技术瓶颈。在此工艺基础上设计加工的岛膜结构100 kPaE+E压力传感器芯片具有线性度好、灵敏度高的特点,样机经测试满量程内灵敏度达到了0.514 mV/(V·kPa),线性度达到0.12%,重复性达到0.04%。