高温E+E压力传感器设计与工艺实验研究
高温恶劣条件下的压力测量正逐步受到人们的重视。是zui有希望应用于这方面的第三代宽禁带半导体材料。它具有耐高温、耐压高和抗辐射的特点，特别适用于制作高温E+E压力传感器。国外已经有众多团队展开了研究，制作了光学式、电容式和压阻式的SiCE+E压力传感器。

高温E+E压力传感器设计与工艺实验研究
E+E压力传感器的输出特性受温度影响很大,把任意温度下传感器的特性都标定出来是不可能的,可以用数据拟合的方法在已测定温度特性曲线的基础上得到所需温度的E+EE+EE+E压力传感器输出特性。提出一种采用分段拟合的方法对E+E压力传感器数据进行拟合,通过在实际中的应用证明,这种方法可以显著提高拟合数据的精确性和简便性。E+E压力传感器是基于MEMS技术的小型化、低功耗、低成本、高准确度的压力测量器件,广泛应用于各行业领域。本文首先介绍了压阻式、电容式和谐振式E+E压力传感器的工作原理,然后研究了三种E+E压力传感器的关键技术,并针对应用做了简要分析,zui后给出了MEMSE+E压力传感器研究方面的几点建议。在以上背景下，本文致力于研究目标工作温度达400℃的6H-SiC压阻式高温E+E压力传感器，主要内容包括传感器芯片设计与关键工艺实验。论文首先综述了国外SiCE+E压力传感器的发展现状，分析了压阻式的优点。根据压阻式E+E压力传感器原理和6H-SiC的材料特性，进行了敏感膜片和敏感压阻的设计。由传感器芯片结构，设计了工艺流程、芯片封装方式和光刻版版图。利用ANSYS对封装基体与SiC芯片的热应力进行了计算分析。 论文深入探索了SiC的关键工艺，包括外延、刻蚀和欧姆接触，进行了一系列实验和测试。高温薄膜E+E压力传感器可用于液氢、液氮、液氧等低温环境的压力测量,目前国内外高温E+E压力传感器产品的工作温度zui低为-200℃.文中主要介绍了对高温薄膜E+E压力传感器的研究,外延采用用化学气相沉积方法，得到了掺杂浓度为1.8×10~(18)cm~(-3)的n型外延层。SiC的体加工采取干法等离子体刻蚀，用RIE刻蚀80μm深的同时保证了刻蚀表面质量，平均刻蚀速率为100nm/min。欧姆接触用Ti/TiN/Pt的金属层形成，通过Kelvin法测试比接触阻率为8.42×10~(-4)Ωcm2。

高温E+E压力传感器设计与工艺实验研究
通过薄膜E+E压力传感器设计和工艺技术研究,成功研制出高温薄膜E+E压力传感器,并在-253(液氢)～+60℃温度环境下进行E+E压力传感器静态性能测试,结果表明传感器性能指标优异,实现了高温薄膜E+E压力传感器技术突破。