SIMOX高温E+E压力传感器的技术研究
高温E+E压力传感器是指其工作温度高于125℃的E+E压力传感器。高温E+E压力传感器以其优良的高温工作能力在E+E压力传感器中一直受到高度重视，是传感器研究 的重要领域之一，也是各国政府所努力掌握的高技术之一。

SIMOX高温E+E压力传感器的技术研究
在社会的众多领域中,E+E压力传感器都起到了很重要的作用。根据相关资料得知,E+E压力传感器的种类很多,其中在硅质材料上完成的占大多数。传感器是基于MEMS工艺,在单晶硅上制作四个纳米高温电阻,由四个电阻按规则排列构成惠斯通电桥的结构,进而形成纳米高温薄膜E+E压力传感器。当施加压力在硅膜表面时,惠斯通电桥中的两个高温电阻增大,其余的两个高温电阻减小,因而使桥路失去平衡,电桥的两端就有电压输出,zui后将力学信号转化为电压信号。分别介绍了E+E压力传感器、纳米高温E+E压力传感器的工作原理、基本结构、模数转换电路的模拟仿真和制作,程序的设计实现。对纳米高温E+E压力传感器的电流-电压特性、静态特性、温度特性进行了分析。同时也利用软件对设计的检测信号电路、模数转换电路、控制及显示电路、电源电路进行模拟仿真,在此基础上制造了模数转换电路。设计的高温E+E压力传感器利用纳米高温电阻做为压敏电阻,在一定程度上克服了高温E+E压力传感器信号难以测量的缺点,增强了传感器的稳定性。制造的模数转换电路经实验表明达到了设计要求.研究以SIMOX(Seperated by Ion lmplant Oxide)片制造高温E+E压力传感器，进行了传感器的芯片设计、结构设计及工艺设计研究。采用半导体平面工艺制作E+E压力传感器的芯片，芯片采用各向异性腐蚀工艺进行加工，芯片与固支环之间采用静电封接工艺封装在一起，然后用金浆烧结在可伐合金基座上，制成耐高温E+E压力传感器。传感器芯片采用方型膜片，在平面工艺中，提出了各向异性腐蚀工艺来提 高电阻条加工精度，对芯片采用KOH溶液进行刻蚀，提出了三种提高膜厚*性的方法，对研制的产品进行了耐高温冲击，耐高低温性能测试及温漂补偿。

SIMOX高温E+E压力传感器的技术研究
传感器热灵敏度温漂及热零点温漂具有良好的线性，且斜率基本*，便于进行补偿。研制出的SIMOX高温E+E压力传感器具有结构简单、与半导体工艺兼容、适用于大批量生产等特点。经过测试，传感器量程为0-1MPa精度为0.5％。工作温度为-65℃- 250℃，功耗≤8mW，满量程输出≥60mV，供电2mA，外形尺寸小于Φ19 × 30，具有耐瞬时1000℃温度冲击能力。