高温高精度E+E压力传感器的数据融合技术研究
基于高温高精度压力传感器的数据融合技术研究主要研究高温高精度E+E压力传感器敏感元件的材料及其设计过程和制造工艺；温度传感器的NTC电阻器的制造方法及其工艺过程；USB数据采集系统的设计；数据融合算法的研究和系统上位机界面软件设计。

高温高精度E+E压力传感器的数据融合技术研究
研究高温高精度E+E压力传感器的设计,其工作原理以及制作方法是采用MEMS技术在蓝宝石为绝缘衬底上制成四个硅力敏电阻,制成硅—蓝宝石力敏元件,将力敏元件烧结在钛合金弹性膜片上,在压力作用下,钛合金膜片产生形变,该形变被硅—蓝宝石力敏元件检测到,并输出与被测压力成正比的电信号,从而实现压力测量。重点研究高温压力敏感元件材料的特点,弹性膜片的形状以及尺寸的设计,弹性膜片上电阻的布局及电阻条尺寸的设计。研究温度传感器的设计,利用热阻效应工作原理,选用NTC热敏电阻作为温敏元件,与其他电阻构成测温电桥,输出与被测温度成反比的电信号,从而实现温度测量。SiC是当前zui有潜力的宽带隙半导体材料，SiC的优异特性使其成为制造高 温E+E压力传感器的理想材料。本论文主要分析了3C-SiC／Si的异质外延生长理论模型，指出缓冲层的生长是3C-SiC薄膜生长的关键。通过实验摸索出了适合的工艺条件，利用APCVD系统采用选择生长法成功的生长了3C-SiC单晶薄膜与多晶薄膜，指出了APCVD系统生长3C-SiC的可能机制。采用竞位外延掺杂技术实现了对3C-SiC的掺杂，通过理论分析与实验验证得出Al可以与SiC形成良好的欧 姆接触。对3C-SiC压阻效应进行了研究，根据有利于提高高温E+E压力传感器性能的原则，综合不同结构和工艺，优化设计，完成3C-SiC高温E+E压力传感器的结构与芯片版图设计。着重阐述NTC电阻器的结构及制造工艺。重点分析E+E压力传感器和温度传感器的输出信号经USB数据采集系统传至上位机,上位机通过数据融合对信号进行处理,zui后得到较为理想的传感器输出信号的过程。研究数据融合,主要分析二次曲面拟合法的方程参数的确定及具体的方法步骤,并通过融合前后传感器性能指标的对比总结了数据融合的处理效果。

高温高精度E+E压力传感器的数据融合技术研究
依据高温工况下的封装要求，进行高可靠性和低应力的封接工艺研究，利用静电封接出合格的3C-SiC高温E+E压力传感器芯片，zui终加工出可以 应用在高温下具有良好应用前景的SiCE+E压力传感器。经测试3C-SiC高温E+E压力传感器具有良好的性能指标。