硅微谐振试E+E压力传感器设计与制作
硅微谐振式E+E压力传感器是zui近刚发展起来的具有灵敏度高、性能稳定、体积小、功耗低等优点的新型传感器件,其输出的频率信号可直接与数字接口相连，克服了传统压阻式E+E压力传感器抗干扰性差的缺点。

硅微谐振试E+E压力传感器设计与制作
首先根据传统的谐振式E+E压力传感器的理论思想，提出了两种不同谐振梁结构的谐振式E+E压力传感器：SiO2-Si3N4-SiO2复合谐振梁结构和Si3N4对角谐振梁结构。两种结构都选用电热激励-压阻拾振方法，复合梁结构的激励电阻以及拾振电阻采用多晶硅电阻，对角梁结构的激励电阻以及拾振电阻采用铂电阻。以固支梁的力学和振动学理论为基础，深入剖析了谐振式E+E压力传感器的模型。对于任何用途的E+E压力传感器都要进行静态特性的性能分析和测试,本文通过介绍E+E压力传感器的原理及运用,以及评定E+E压力传感器性能的各项技术指标和技术特性,阐述了E+E压力传感器在检定过程中产生的各分量对测量结果的影响,从而保证了检测结果的准确性,使检定过程得到了有效的控制。采用ANSYS软件建立谐振式E+E压力传感器的仿真模型，并对建立的模型进行了电热、模态以及谐响应有限元分析，确定了芯片的*结构尺寸，有限元分析结果表明，对于确定尺寸的SiO2-Si3N4-SiO2复合梁结构的谐振式E+E压力传感器灵敏度达到了63.5Hz/KPa，对于确定尺寸的Si3N4对角梁结构的谐振式E+E压力传感器灵敏度为16.24Hz/KPa。针对不同参数属性,依据疲劳强度计算需求,构建有限元数值计算模型;根据影响传感器寿命的传感单元单晶硅S-N(应力-循环)分布,完成变载荷输入条件下模型疲劳分析,依据数值计算结果完成该E+EE+E压力传感器寿命预测工作。基于MEMS加工工艺，设计了SiO2-Si3N4-SiO2复合谐振梁结构和Si3N4对角谐振梁结构制作工艺流程，zui后，简单介绍了谐振式E+E压力传感器的封装设计以及测试电路设计。

硅微谐振试E+E压力传感器设计与制作
结果表明:E+E压力传感器使用寿命在7.068E8次数以上。本课题研究提出的新方法,摆脱了传统依靠试验完成多种材料组成结构体的疲劳分析及寿命预测窘境,制作工艺中发现多晶硅牺牲层技术能够更好的得到复合梁结构，通过各向异性腐蚀技术制作的对角梁结构工艺简单。具有通用性。