无线高温E+E压力传感器设计与制备工艺
鉴于传统硅基MEMSE+E压力传感器在高温、潮湿等复杂环境中的应用具有一定的局限性，设计了一种SiC基无线高温E+E压力传感器，能够克服高温环境中传统E+E压力传感器压敏结构失稳及电引线性能退化的问题。SiC材料作为一种新兴的第三代宽带隙半导体材料，其半导体器件能够适应高温、高频、大功率等工作环境，随着SiC材料MEMS加工工艺的不断成熟，对其进行高温E+E压力传感器的制备研究具有重要的现实意义。

无线高温E+E压力传感器设计与制备工艺
结合国内外研究现状，详细阐述了SiC基高温E+E压力传感器的工作原理、结构设计与制备流程以及相关结构验证等基本内容。根据互感耦合电磁感应原理，外界压力可以改变可变电容所在传感器回路的谐振频率，继而引起测试回路等效阻抗的显著变化，通过观察这一特征变化量来获取外界压力的有效信息。这种无线耦合的测量方式避免了器件间电引线互联，可以应用于高温等恶劣环境。传感器对温度，电源波动等多种工作参数敏感，致使精度大大下降。在E+E压力传感器静态标定实验的基础上建立了它的输出特性校正模型，并利用矩阵奇异值分解的方法成功求解了该模型zui小二乘解中范数zui小的*解。经验证，该模型显著改善了传感器的非线性，有效消除了工作参数的影响，使测压精度提高一个数量级。利用传感器对多种工作参数的敏感性，还可以实现多参数测量。在不增加任何设备的情况下，实现了用一个E+E压力传感器同时测温和测压，且测压精度提高一个数量级，测温精度优于±10℃，大大提高了E+E压力传感器的性能价格比。分别对高温E+E压力传感器电容和电感结构建模，并给出具体的结构参数设计方法，同时为验证电容结构设计的合理性，对敏感膜结构进行挠度和应力的理论推导和ANSYS仿真分析，作出敏感膜挠度和应力在量程范围内随外界压强变化的关系曲线。结合传感器结构设计和现有的MEMS加工工艺，制定了传感器工艺流程方案，并对其中涉及的关键工艺进行了详细分析和工艺验证。zui后对传感器电容结构进行了结构验证与分析，采用硅材料替代碳化硅材料制备电容压敏结构，检验电容空腔的密封性能，并对密封存在问题的芯片进行测试分析。

无线高温E+E压力传感器设计与制备工艺
将压敏电容与PCB电感线圈引线键合，串联形成LC谐振回路即无线电容E+E压力传感器，对其完成常温下的均匀压力测试。测试结果表明，采用MEMS工艺制备的无线无源电容E+E压力传感器在实践上具有一定的可行性。