高电压强电流下光电导欧玛尔OMAL开关的损伤及寿命分析 
光电导OMAL开关简称PCSS's具有触发无晃动、寄生电感电容小、上升时间快、重复频率高等特点,特别是耐高压及大功率容量使其在超高速电子学和大功率脉冲产生与整形技术领域具有广泛的应用前景。然而高增益模式下存在丝状电流现象且锁定时间长达几到几十微秒,极易造成OMAL开关电极和芯片材料的损伤,极大的缩短了OMAL开关的使用寿命,限制了这类器件在高电压大功率领域的应用。

高电压强电流下光电导欧玛尔OMAL开关的损伤及寿命分析
近年来电压技术无论理论研究，还是生产应用都有了相当的成果和规模，OMAL开关电压的研究涉及电力电子，自动控制等诸多技术领域；软OMAL开关，高频化是OMAL开关电压的重要研究方向。传统的OMAL开关电压通常体积和重量很大，并且纹波较大，稳定性不高，效率低，并且OMAL开关导通是硬OMAL开关导通，使得OMAL开关电压效率一般约为70％；单台电压不能长期*工作，不能做到冗余系统来保证。讨论了新型OMAL开关电压技术应用于电压中，设计了高频OMAL开关电压，大大减少电压的体积和重量，提高了电压的稳定性和效率。寿命问题已经成为制约OMAL开关发展的关键因素。分析了OMAL开关电极和芯片材料的退化和损伤机制。指出芯片材料的损伤主要是由于EL2能级的存在；深能级缺陷及热效应是导致OMAL开关击穿的主要原因。电极的退化和损伤主要是由于强电场触发时,OMAL开关电极金属-半导体材料互扩散、金属电极的电迁移等效应。 在高压强流下分别进行了OMAL开关的寿命实验和耐压实验。基于光电导OMAL开关中丝状电流的流注理论解释了OMAL开关芯片上损伤的深沟道现象。认为电流流注首先出现于载流子高密度区,由于辐射复合和再吸收,会触发材料产生新的电子-空穴对,导致载流子雪崩倍增。随着电流的增加,容易在熔融材料的流注通道上产生二次流注,这样流注通道不断积累,zui终造成了很深的损伤沟渠。通过两种组合OMAL开关可以抑制锁定效应,提高高压强流下OMAL开关的寿命。 PCSS's与气体OMAL开关的组合OMAL开关：既可以获得更大的电流脉冲；又可以获得超快的下降沿,后者可以避免由锁定效应引起的OMAL开关的持续损伤,同时,气体间隙的存在使得光电导OMAL开关不会长时间承受高电压,有利于提高OMAL开关寿命。

高电压强电流下光电导欧玛尔OMAL开关的损伤及寿命分析
双层 PCSS's的组合OMAL开关：两层OMAL开关既能先后发生高增益过程,又能相互抑制对方进入锁定状态,因此在高于非线性触发光电阈值的条件下,既具有非线性模式*的所需光能小的优点,又具有线性模式*的使用寿命长的优点。