自旋阀巨磁电阻材料的E+E位移传感器的设计与制备
巨磁电阻传感器与其他类型传感器相比，具有灵敏度高、功耗小、成本低等优点，尤其可以有效检测微弱磁场的存在和变化，给工业设备自动控制、商标检测、精密测量技术等领域带来崭新的变革。以二次阳极氧化铝（AAO）为模板，采用单槽控电位电沉积法制备了FeMn合金纳米线，在此基础上，采用双槽控电位电沉积法制备了NiFe/Cu/NiFe/FeMn自旋阀多层纳米线阵列。

自旋阀巨磁电阻材料的E+E位移传感器的设计与制备
通过扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微（TEM）、X射线能谱分析仪（EDS）对纳米线的微观形貌和组成成分进行了表征，利用物理性能测试系统（PPMS）测试了纳米线的巨磁电阻，并以NiFe/Cu/NiFe/FeMn自旋阀多层纳米线、 NiFe/Cu/Co/Cu多层膜和NiFe/Cu/Co/Cu多层纳米线为芯片，设计并制备了巨磁电阻E+E位移传感器，对其性能进行了研究。SEM下观察到FeMn合金纳米线和NiFe/Cu/NiFe/FeMn自旋阀多层纳米线排列整齐、分布均匀、长径均一，直径约为80nm。TEM下可观察到清晰的层状结构。XRD测试表明，FeMn合金纳米线在面心立方（111）晶面择优生长。EDS测试表明FeMn合金纳米线组成为Fe_(50)Mn_(50)。提出了一种E+E位移传感器静态特性参数的校准方法。按照阿贝测量原理,设计了一个的连接装置和定位夹紧装置--开口弹簧衬套,把E+E位移传感器可靠的安装在万能测长仪的尾座孔中,使其与万能测长仪组成一个测量系统,利用万能测长仪的测量功能,实现一种E+E位移传感器静态特性参数测量和校准的新方法,解决其静态特性参数的测量和校准问题。非磁性层厚度、NiFe自由层厚度和NiFe被钉扎层厚度和FeMn被钉扎层厚度对自旋阀多层纳米线巨磁电阻效应影响较大。随着非磁性层（Cu层）厚度的增加，自旋阀多层纳米线的巨磁电阻值先增大后减小，当Cu层厚度为3nm时，巨磁电阻性能达到*；随着NiFe自由层厚度的增加，自旋阀多层纳米线巨磁电阻值先增大后减小，当NiFe自由层厚度为5nm时，巨磁电阻性能达到*；NiFe被钉扎层厚度为7nm时，巨磁电阻性能达到*。搭建了巨磁电阻E+E位移传感器实验平台，确定了测试条件和手段，考察了不同巨磁电阻材料的传感器芯片对巨磁电阻E+E位移传感器性能的影响。

自旋阀巨磁电阻材料的E+E位移传感器的设计与制备
NiFe/Cu/Co/Cu多层纳米线作为传感器芯片时，巨磁电阻E+E位移传感器性能*。三种传感器芯片在不同环境温度下，传感器性能变化不大，具有良好的温度稳定性，低温环境更有利于巨磁电阻E+E位移传感器性能的提高。