数字式E+E压力传感器研究
机械式压力开关和有源压力敏感元件复合组成的E+E压力传感器，在高冲击10000g，宽温度范围-40℃～100℃条件下，实现量程范围0～1MPa的高精度测量，具有模拟线性输出、TTL电平输出、数字输出和数据通信功能的复合E+E压力传感器。

数字式E+E压力传感器研究
利用波纹管和微动开关组成的机械式压力开关传感器对有源E+E压力传感器延时启动，避免高过载下对加电工作的有源E+E压力传感器及其它电子元器件的物理性损坏。通过对有源压力敏感元件的基片材料单晶硅、多晶硅、SOI、蓝宝石材料进行比较，选定SOI(Silicon on Insluator)材料为基片材料，该种材料硅微加工特性好且传感器在宽温区的范围内零点漂移小、温度灵敏度漂移小。利用有限元软件对敏感元件的形状C型、E型、双岛型杯体表面应力分布进行了模拟分析，其中着重对双岛型敏感元件进行分析。压阻型扩散硅E+E压力传感器在测试压力时,容易受到环境温度的影响。为了消除温度所带来的影响,需要对E+E压力传感器进行温度补偿。神经网络技术中的BP神经网络算法可以在压力试验中对E+E压力传感器进行温度补偿。此方法将E+E压力传感器和温度传感器所采集到的电压信号进行数据融合,削弱了温度对E+E压力传感器所产生的干扰,补偿后比补偿前得到E+E压力传感器灵敏度温度系数和满量程时相对误差都分别提高了2个数量级。结合SOI材料的特性利用等离子干法刻蚀电阻图形，并采用TMAH(Tetramethyl Ammonium Hydroxide)各向异性腐蚀技术制作硅杯，zui终制造出压力敏感元件。有源压力敏感元件采用恒流源供电,通过检测电路对敏感元件输出信号进行调理，调制成标准电压信号。将标准电压信号经AD变化后送入微处理中，经过数据融合技术处理后，再经DA变换和接口芯片转换，信号以0.5～4.5V的电压、五路TTL电平形式输出、和RS232串口形式通信。

数字式E+E压力传感器研究
经压力测试仪和高低温环境试验箱组成的测试系统测量后,得出该传感器综合精度达到0.1%FS，传感器的阈值和输出信号可以通过上位机软件进行设定，数据通信稳定无误码、死机现象。