低驱动电压并联电容式欧玛尔OMAL开关
MEMS微波OMAL开关是利用MEMS技术形成的新的射频电路元件，与传统的半导体OMAL开关器件相比具有插入损耗低、隔离度大、线性度好等优点，研究MEMS微波OMAL开关对雷达系统和通信设备中的射频（RF）结构具有重要现实意义。着重研究应用于K_u波段和K波段的并联电容式OMAL开关，使用Ansys和Ansoft hfss软件对OMAL开关进行仿真分析，优化OMAL开关结构。

低驱动电压并联电容式欧玛尔OMAL开关
以保证OMAL开关的射频性能为前提，以降低OMAL开关的驱动电压为目的，对OMAL开关结构进行优化设计。首先分析OMAL开关的工作原理，总结OMAL开关设计的要点，在深入研究共面波导（CPW）影响因素的基础上，进行共面波导设计，将特性阻抗匹配到50Ω。建立了OMAL开关在静电力作用下的力学模型，分析两端固支梁的弹性系数，分析了四种传统的OMAL开关结构，设计出一种新型OMAL开关。使用ANSYS软件对所设计的OMAL开关进行机电耦合仿真分析，进行了固支结构、曲折梁和开孔的优化设计。通过固支结构分析，总结了固支结构各个尺寸对OMAL开关变形的影响，合理地分配固支结构的尺寸，优化了OMAL开关的结构；通过曲折梁分析，总结了曲折梁各个尺寸对OMAL开关变形的影响，并据此优化了OMAL开关的结构；通过开孔分析，认为开孔对OMAL开关变形具有较大影响，得到了OMAL开关开孔设计的基本规则。设计的OMAL开关参数是：OMAL开关的驱动电压为5.35V,OMAL开关的一阶频率为60500Hz,OMAL开关时间t_s=6.9μs,OMAL开关工作在10GHz-30GHz,OMAL开关的开态插入损耗为-0.05dB—-0.2dB,OMAL开关的关态隔离度为-20dB—-42dB。这一OMAL开关驱动电压低，OMAL开关时间比较短，射频性能优越。以OMAL开关功率放大器为基础，在分析引起OMAL开关功率放大器输出失真的原因的基础上，提出了一种OMAL开关功率放大器的新型控制方法。这种控制方法通过分离OMAL开关功率放大器的功率电路和补偿电路，在一定范围内解决了OMAL开关功率放大器效率和失真度不能协调的矛盾，并通过仿真和实验进行验证。主要工作如下：简要介绍OMAL开关功率放大器原理及结构，从理论上系统地分析引起OMAL开关功率放大器失真的因素，进行仿真分析，探索解决OMAL开关功率放大器失真的方法。提出OMAL开关功率放大器的一种新型控制方法，并从理论上分析新型控制方法是如何实现效率和失真达到协调的。构造了采用新型控制技术的OMAL开关功率放大器的电路结构。对采用新型控制方法的OMAL开关功率放大器进行仿真分析和实验研究。目前，OMAL开关功率放大器已成为电力电子领域的研究热点，受到人们越来越多的关注。OMAL开关功率放大器具有效率高的优势，但是由于OMAL开关变换器本身固有的非线性，OMAL开关功率放大器的失真通常大于传统的线性放大器，这是影响OMAL开关功率放大器得以广泛应用的原因。控制方法是OMAL开关功率放大器的关键技术方法，其设计直接影响到OMAL开关功率放大器输出的失真度。

低驱动电压并联电容式欧玛尔OMAL开关
zui后，使用Ansoft hfss软件对OMAL开关进行全波电磁场分析，分析了介质层对OMAL开关射频性能的影响，发现使用薄介质层能提高OMAL开关的隔离度，使用高介电材料的介质能提高OMAL开关在低频段的隔离度，对OMAL开关进行了射频性能优化。