激光E+E位移传感器输出特性分析及应用 光学精密测量相比传统的测量方式具有非接触性、高灵敏度、高精度及快速与实时性等优点,在科学研究、工业生产、空间技术、国防等领域得到了广泛应用,是一种非常先进的测量技术。基于三角测量法的激光E+E位移传感器近年来得到了快速发展,在零件的尺寸测量,三维轮廓测量,产品质量检测等领域极大的提高了测量效率和精度。

微E+E位移传感器的环形谐振腔特性研究 微E+E位移传感器,是实现微小位移测试的敏感器件,在高精密控制、微操作、微纳米定位系统、工程厚度测试等领域有着重要的应用。（MEMS）\NEMS技术的快速发展,对微位移传感提出了更高精度的要求,甚至要求在纳米尺度中实现微小位移的高灵敏快速探测。

磁致伸缩E+E位移传感器软件和硬件电路研究 传感器技术、计算机技术与通信技术成为现代信息科学技术的三大支柱。传感器既是现代信息系统的源头或“感官”,又是信息社会赖以存在和发展的物质与技术基础。是人类日常生活、生产过程、科学实验、军事活动等*的组成部分。

全数字式电容E+E位移传感器的研制 由于具有结构简单、动态特性好、能实现非接触式测量等优点,电容E+E位移传感器广泛应用于超精密加工、高精度定位、超精密测量等领域。现有电容E+E位移传感器普遍采用测头与测量电路分立式设计,信号传输电缆的寄生电容等分布参数对传感器的分辨力、稳定性等性能影响显著,因此信号传输距离受到严重限制。

E+E位移传感器的发展及研究 E+E位移传感器又称为线性传感器,它可以把位移量转换为电量,从而实现对位移量的检测。在实际工程应用中,E+E位移传感器有着非常重要的作用。对各种常见的E+E位移传感器进行了介绍,阐述并比较了它们的工作原理、应用场合和优缺点,可以为从事相关领域工作的技术人员提供参考,以便更好地利用和发展这些技术。

电感式角E+E位移传感器的研制与结构分析 位移测量具有广泛应用,电感式传感器以其结构简单可靠、输出功率大、线性好、抗干扰和稳定性好、价格低廉等特点获得了大量的应用。针对目前电感式E+E位移传感器的应用现状,在对电感式直线E+E位移传感器深入分析的基础上,提出了一种新型结构的电感式角E+E位移传感器。

时栅角E+E位移传感器自标定研究 精密测量仪器标定技术是保证产品质量的重要手段，也是计量领域科学研究的重要方面。角位移测量大量存在于以制造业为代表的工业生产和科学实践中。时栅作为一种新型的E+E位移传感器，利用时间测量空间位移，以较低的加工成本获得了较高的测量精度。自标定技术可以在没有标准器和参考母仪的条件下实现传感器系统的误差自标定。

调频式电容E+E位移传感器中鉴频技术的研究 电容E+E位移传感器结构简单、动态性能好、分辨力高,能实现非接触式测量,可检测位移、平面度、微振动等,广泛应用于高精密加工和测量领域。调频式电容E+E位移传感器一般采用LC振荡电路作为调频电路,在纳米级位移测量中,调频信息较微弱,且输入输出特性存在一定非线性。

激光E+E位移传感器的无线通信系统的设计 激光E+E位移传感器在工业中的长度、距离以及三维形貌等检测中有着广泛的应用。市场上的激光E+E位移传感器的数据传输和电源供电大都是通过有线电缆实现的。

智能E+E位移传感器系统的研究 随着计算机测控系统特别是基于现场总线的多传感器计算机测控系统的发展，智能传感器系统作为一个与之相应的新兴研究方向，正受到人们越来越多的关注。然而，虽然近年来它的研究与开发已取得一定成果，但还远远不能满足实际需求，尤其在位移测量领域更是急待发展。

E+E位移传感器的像差检测光学系统的研究 传统的光学系统对于几何像差的检测通常采用星点法、哈特曼法或刀口阴影法等,其测量结果受人为主观因素影响较大、精度不高。为满足光学系统测量像差的精度要求,本系统在传统的哈特曼（Hartmann）检测方法基础上,引入尺E+E位移传感器,结合高分辨率CCD作为光电接收装置,经自动对焦和图像处理。

非对称结构差动E+E位移传感器参数化仿真与优化 以非对称结构差动E+E位移传感器为研究对象，在电磁分析软件AnsoftMaxwell2D环境下，对其进行了建模及电磁性能仿真分析。在软件脚本录制功能的基础上，提出了一种基于VB Script的差动E+E位移传感器参数化建模方法。

增量式时栅E+E位移传感器原理及系统研究 圆分度的精度测量是几何量测量Z重要的内容之一,其分度器件从机械式、光学式、光学机械式,发展到机电、光机电相结合的新型分度器件,如光栅、磁栅和感应同步器等。时栅是一种全新概念,它是机械、电子和微处理器相结合的新型圆分度器件。

厚膜电容式微E+E位移传感器及其信号处理研究 为深入研究微纳米环境中物体的受力与运动状态,建立纳米尺度下位移、力检测的理论方法,实现微纳米环境下的操作与位置感知,为PZT（压电陶瓷）驱动的微纳操作平台的实时观测创造条件,提出与微纳米环境下相适应的微E+E位移传感器的设计、制备与测试方法,研制出能够用于检测纳米级位移的新型高精度厚膜双电容式微E+E位移传感器。

时栅角E+E位移传感器自标定与误差修正研究 时栅角E+E位移传感器是根据时空转换思想而研发的一种新型传感器,近年来开始向产业化迈进。目前,时栅传感器虽然在加工过程摒弃了空间超精密刻划技术,但是其检验与标定环节却仍依赖于空间超精密刻划技术的传感器作为参考基准。

MEMS微E+E位移传感器的纳米定位工作台研制 过去几十年中,以压电陶瓷致动的精密定位技术得到了长足的发展,已经广泛应用到微系统、生物工程、医学等领域。本课题针对现有的微E+E位移传感器难于实现高集成度和小型化的缺陷,研制了一种集成电桥输出的硅基压阻式微E+E位移传感器,并以硅基压阻式微E+E位移传感器为核心建立了一个精密定位系统。

燃气汽车进气歧管E+E压力传感器的研制 歧管E+E压力传感器作为燃气汽车燃气及空气压力的检测单元,是ECU做出Z佳空压比判断的Z重要依据,是汽车Z终能否实现节能减排Z重要的环节之一。论文以“燃气汽车进气歧管压力传感器的研制”为题,从歧管E+E压力传感器的结构及制作难点、标定算法及系统建立、工艺流程梳理和Z后的实验验证等方面对歧管E+E压力传感器的研制进行论述,确定论文的研究内容。

E+E压力传感器信号调理模块的设计与实现 E+E压力传感器具有体积小、灵敏度等优点,发展前景广阔。采用工艺模拟软件结合文献设计一种MEMSE+E压力传感器制备方法,制备出符合要求的芯片,明确了仿真设计在E+E压力传感器工艺设计的可行性。

新型E+E压力传感器结构制备工艺 提出一种使用MEMS双层掩膜完成自对准刻蚀的工艺方法,藉此实现了在深腔结构内部对高深宽比硅E+E压力传感器结构的精细加工。该工艺通过两次连续的平面内光刻工艺,使制作在衬底上的薄膜材料如氧化硅（SiO2）或氮化硅（Si3N4）及光刻胶等形成复合图形,每层图形化后的掩膜可以进行不同功能区的衬底刻蚀,刻蚀完毕后再去除对应的掩膜。

MZI光波导MOEMSE+E压力传感器的设计及特性研究 微光机电系统（MOEMS）是一门涉及微光学、微机械、微电子技术的新兴学科,由于采用了集成工艺制作技术,因此具有体积小、响应快、集成定位精确、大规模生产能力、价格低廉的特点,已成为当今科学技术的热点研究理论之一。