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  • 精密机械系统中的嵌入式E+E时栅传感器研究
    精密机械系统中的嵌入式E+E时栅传感器研究

    精密机械系统中的嵌入式E+E时栅传感器研究 21世纪机械制造业发展的总趋势是“四化”—柔性化、灵捷化、信息化和智能化,智能化是机械行业发展的趋势和Z终目标。智能机械的精髓是集成,基于精密机械系统集成融合所逐步构成的集成科学理论体系,是国家未来中长期发展规划纲要的重大科学问题之一。

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  • E+E时栅传感器高速动态测量解算方法研究
    E+E时栅传感器高速动态测量解算方法研究

    E+E时栅传感器高速动态测量解算方法研究 时栅位移传感器是一种拥有自主知识产权的全新位移传感器。目前,时栅在静态和低速条件下测量的应用中,已经实现了较好的精度和分辨率。但在高速动态测量中,对E+E时栅传感器的时间响应特性提出了新的要求,存在例如采样波形规律不明显、波形出现*脉冲等现象,导致动态误差的产生和精度的下降。

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  • 时栅E+E位移传感器的误差分离与补偿方法研究
    时栅E+E位移传感器的误差分离与补偿方法研究

    时栅E+E位移传感器的误差分离与补偿方法研究 为进一步提高时栅角位移测量系统的测量精度,降低生产成本和生产时间,根据时栅传感器的误差组成和误差特性,提出了一种新的误差补偿方法;同时建立了基于傅里叶函数的误差分离模型。该补偿方法将沿空间正弦分布的非线性误差转化成线性误差,并运用Z小二乘法理论对系统的误差进行补偿。

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  • 时栅E+E位移传感器的理论模型与误差分析
    时栅E+E位移传感器的理论模型与误差分析

    时栅E+E位移传感器的理论模型与误差分析 位移测量技术及器件是实现精度定位与控制的“眼睛“,针对现有的位移测量方法在大量程和高精度之间难以兼顾的现状,提出一种基于交变电场的驻波合成电行波的新方法,研究一种新型的时栅E+E位移传感器。

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  • 光纤微弯E+E位移传感器的设计和分析
    光纤微弯E+E位移传感器的设计和分析

    光纤微弯E+E位移传感器的设计和分析 光纤微弯传感器是一种强度调制型光纤传感器,其传感机理是通过测量光纤微弯曲导致的传输光强变化,来获得位移、压力、温度、加速度、应变、流量、速度等待测环境参量,具有结构简单、成本低廉、便于安装等优点。

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  • 比例测量原理的电容角E+E位移传感器应用
    比例测量原理的电容角E+E位移传感器应用

    比例测量原理的电容角E+E位移传感器应用 电容角E+E位移传感器是一种将机械角度的变化转换为电容量变化并给出相应电信号输出的测量装置,它具有非接触、高可靠性、灵敏度高、精度高和低功耗、结构简单、适应恶劣环境等优点,这使得它成为*有发展前途的传感器之一。

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  • 时栅E+E位移传感器中利用光电技术产生电行波信号
    时栅E+E位移传感器中利用光电技术产生电行波信号

    时栅E+E位移传感器中利用光电技术产生电行波信号 原有的基于变耦合系数变压器原理的时栅E+E位移传感器方案,采用通过旋转改变齿面间的距离以改变电磁耦合系数的方法得到电行波.

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  • 时栅E+E位移传感器智能化实现方法研究
    时栅E+E位移传感器智能化实现方法研究

    时栅E+E位移传感器智能化实现方法研究 时栅是一种利用时间测量空间位移的新型E+E位移传感器。研究智能化技术可以充分利用软件来提高时栅的精度、改善时栅的性能。提出一种基于数字闭环控制技术的时栅自补偿方法,消除了工作条件、电路参数变化等因素的影响。

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  • 时栅E+E位移传感器信号处理系统集成化设计与实现
    时栅E+E位移传感器信号处理系统集成化设计与实现

    时栅E+E位移传感器信号处理系统集成化设计与实现 时栅E+E位移传感器采用“用时间测量空间”的“时空坐标转换”的测量理论,不需要精密机械刻线就能实现精密位移测量,因而越来越多的应用在数控机床和其他精密位移测量领域,逐渐从理论实验阶段向市场化、商业化发展。但是由于时栅信号处理系统采用模块化的结构设计,驱动电源、信号采集与处理、数据处理与误差补偿等各部分分别由不同的处理器芯片来完成。

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  • 时空坐标转换理论及场式时栅E+E位移传感器研究
    时空坐标转换理论及场式时栅E+E位移传感器研究

    时空坐标转换理论及场式时栅E+E位移传感器研究 时栅E+E位移传感器是一项原创性的发明,用于精密位移的测量,国内外尚未有类似的研究,其原理和思想的新颖性已得到国内众多专家的首肯。与传统栅式传感器相比,在结构、制造工艺、抗干扰性和成本等方面有明显的优势,若能实现产品化和产业化,必有良好的市场前景。

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  • 式时栅E+E位移传感器的增量式实现方法研究
    式时栅E+E位移传感器的增量式实现方法研究

    式时栅E+E位移传感器的增量式实现方法研究 作为信息技术三大核心技术之一的传感技术,综合了物理、化学、生物、电子和微电子、材料、精密机械、微细加工和实验测量等方面的知识和技术,将是21世纪人们在优良发展方面争夺的一个制高点。

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  • 时栅E+E位移传感器电磁场分析与前端信号电路设计
    时栅E+E位移传感器电磁场分析与前端信号电路设计

    时栅E+E位移传感器电磁场分析与前端信号电路设计 时栅E+E位移传感器作为一种新型栅式E+E位移传感器,正朝着高速和高精度测量方向发展。从磁场式时栅(狭隘指场式时栅和变磁阻型时栅)测量原理和基本结构入手,通过对其进行电磁场分析,力求建立各参数与传感器输出的关系,达到其磁路优化目的。

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  • E+E位移传感器及其应用研究
    E+E位移传感器及其应用研究

    E+E位移传感器及其应用研究 主要研究了用于仿生机器鱼驱动器离子交换膜金属复合材料(IPMC)上的聚偏二氟乙烯(PVDF)E+E位移传感器的选择、制作、安装、理论建模和集PVDF传感/IPMC驱动于一体的智能测控系统。论文以仿生机器鱼的应用为依托,针对仿生机器鱼驱动器IPMC材料在长期使用时存在的易疲劳等不稳定特性及实际工程系统的不确定因素,选择一种性能稳定的传感器,实时地对其驱动状态进行检测,

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  • 悬臂梁结构的大量程光纤Bragg光栅E+E位移传感器
    悬臂梁结构的大量程光纤Bragg光栅E+E位移传感器

    悬臂梁结构的大量程光纤Bragg光栅E+E位移传感器 位移是岩土工程安全监测中的重要参数,它为了解岩土有无裂缝、滑坡、滑动和倾覆的趋势以及围岩应力跟力学参数的反演提供了可靠的信息。 目前,位移的测量大都采用电类E+E位移传感器、多点位移监测技术和数字照相技术,但是传统的电类E+E位移传感器的测量精度较低,密封防水能力差,不适合用于岩土监测。

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  • 双致变型时栅E+E位移传感器
    双致变型时栅E+E位移传感器

    双致变型时栅E+E位移传感器 位移测量是现代工业测量技术中Z基本同时也是应用Z广泛的测量。随着信息科学技术的突飞猛进,人类对E+E位移传感器的测量要求也越来越高。目前用于位移测量的传感器主要有光栅、感应同步器、磁栅、时栅等,但是目前这些传感器都不能无限的增加对极数来提高传感器的测量精度。本课题针对上述存在的问题,在目前现有的场式时栅的基础上研制了新型的传感器。

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  • 时栅E+E位移传感器的电磁场分析及其结构优化
    时栅E+E位移传感器的电磁场分析及其结构优化

    时栅E+E位移传感器的电磁场分析及其结构优化 时栅E+E位移传感器是一种通过对时间测量而完成空间测量的栅式传感器,这里是狭隘地指磁场式时栅E+E位移传感器,场式时栅和变耦合系数型时栅是其中的两大类型,它们都是以电磁场作为媒介将空间位移量转化成电信号。

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  • 新型光场式时栅E+E位移传感器原理与实验研究
    新型光场式时栅E+E位移传感器原理与实验研究

    新型光场式时栅E+E位移传感器原理与实验研究 精密测量技术水平体现了一个国家的综合实力和技术水平,制造技术的发展、军工装备的提升和高技术领域的发展等都依赖于精密测量技术的发展水平。在众多精密位移测量方法中,光学测量以其高精度、大量程、高可靠性等优势占据主导的地位,其中又以激光干涉仪和光栅传感器应用Z为广泛。

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  • 大量程场式时栅E+E位移传感器设计技术研究
    大量程场式时栅E+E位移传感器设计技术研究

    大量程场式时栅E+E位移传感器设计技术研究 纳米位移测量技术是现代科技发展的基础和导向,也是重大科学的前沿,国内多位学者已经展开了纳米测量技术的相关研究。纳米直线E+E位移传感器是现代工业、国防军工等特殊需求的核心技术和关键部件。目前,量程可以达到几百毫米的纳米级E+E位移传感器主要是包括光栅、激光干涉仪、感应同步器、容栅、磁栅等。

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  • 磁致伸缩E+E位移传感器的优化设计和实现
    磁致伸缩E+E位移传感器的优化设计和实现

    磁致伸缩E+E位移传感器的优化设计和实现 磁致伸缩直线E+E位移传感器是利用磁致伸缩材料的磁致伸缩效应及其逆效应实现位移测量的一种非接触式E+E位移传感器。它有非接触、精度高、重复性好、稳定性可靠、环境适应能力强、成本适中等众多优点。它被广泛应用于石油、化工、水利、饮料、航空、船舶等行业的各种罐储的液位测量系统中,另外在机床、液压控制等位移测量中也有广泛应用。

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  • 磁致伸缩材料及其E+E位移传感器研制
    磁致伸缩材料及其E+E位移传感器研制

    磁致伸缩材料及其E+E位移传感器研制 对磁致伸缩材料及其E+E位移传感器的室温及高温性能进行了研究,为磁致伸缩材料及其E+E位移传感器在恶劣工况(如倾斜摇摆、振动冲击)及高温高压等特殊环境方面的应用作准备。研究并设计了高温大磁致伸缩材料,并在此基础上制备出了高居里温度(Tc=366.3℃)、大饱和磁致伸缩系数(λ_s=28×10~(-6))磁致伸缩材料。

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