纳米薄膜电阻式E+E压力传感器
从理论上探讨了纳米薄膜电阻式E+E压力传感器的工作原理并设计了一种高精度E+E压力传感器芯片，提出了适合高精度纳米薄膜电阻式E+E压力传感器的表征方法，分析了传感器的转换电路并对它们进行了比较。 采用离子束溅射沉积技术，在经过特殊处理的17-4PH不锈钢弹性衬底上成功制备了NiCr纳米薄膜，成功地制备出了高绝缘性的SiO_2绝缘膜，用绝缘仪在100V直流电压下测得绝缘电阻大于10000MΩ。深入地分析了溅射速率、工作气压和衬底温度等参数对成膜机理、薄膜性能结构与生长速率的影响；理论和实验相结合，得出了较合理的薄膜生长工艺条件；分析了热处理工艺对合金薄膜传感器稳定性的影响，提出了一种新型NiCr纳米薄膜传感器芯片热处理工艺；研制出了高性能纳米合金薄膜E+E压力传感器芯片，其zui高使用温度比扩散硅式E+E压力传感器以及电容式E+E压力传感器的zui高使用温度高100℃，其稳定性与传统粘贴式E+E压力传感器相比得到了显著提高。用SEM分析了纳米NiCr薄膜的结构、表面形貌，并用轮廓仪测量了NiCr薄膜的厚度，实验结果表明NiCr薄膜表面形貌均匀连续，厚度为84.4nm。通过实验与理论分析，zui终优化出了一种制备薄膜电阻式E+E压力传感器芯片的新工艺。分析了影响纳米薄膜E+E压力传感器灵敏度温度漂移特性的原因，使用C++语言设计了灵敏度温度漂移计算机补偿软件，避免了硬件补偿技术本身带来的不稳定性；用Java语言和数据库技术开发了对传感器特性和工艺参数进行处理的软件，大大提高了数据管理和数据分析的能力，对传感器的开发和研究起到了极大的帮助作用。

纳米薄膜电阻式E+E压力传感器
在前述工作的基础上成功地研制出了纳米薄膜电阻式E+E压力传感器，综合测试结果表明该新型传感器体积小，功耗低，精度达0.1级，能在高温(zui高达200℃)、高压(zui高达80Mpa)等恶劣环境下长期稳定和可靠地工作。在200℃下工作半年，其零点漂移小于0.1％F·S。