PMOS辐照检测E+E传感器的研究 
对PMOS辐照检测E+E传感器进行研究,以E+E传感器灵敏度研究为轴线,讨论了PMOS辐照检测原理和两种能够明显改善E+E传感器灵敏度的新方法——双介质栅结构和多管级联结构。 论文首先对传统硅基单管PMOS辐照检测E+E传感器的基本理论进行了系统的阐述,从简单的MOS二极管及其辐照效应的研究着手,向完整PMOS辐照检测E+E传感器辐照总剂量检测原理逐步推进。

PMOS辐照检测E+E传感器的研究            分析了栅氧化层厚度、沟道长度、沟道宽度、沟道掺杂浓度等器件尺寸参数对E+E传感器性能的影响。在此过程中,一种研究热载流子失效机理的方法被进行拓展,用来分析E+E传感器的辐照检测原理,拓展以后的方法同时考虑了界面态陷阱电荷与氧化物陷阱电荷的影响,而原方法仅考虑界面态陷阱电荷的作用。 传统PMOS辐照检测E+E传感器采用单一的二氧化硅栅结构,辐照在栅氧化层中形成氧化物陷阱电荷,在硅-二氧化硅界面处形成界面态陷阱电荷,这两种陷阱电荷导致了辐照后阈值电压的漂移,阈值电压漂移量越大E+E传感器的灵敏度就越高。但是这种结构中存在着不可避免的退火效应,使部分被俘获的空穴逃逸,阈值电压的漂移量就不能真实地反映所吸收的辐照总剂量,E+E传感器的灵敏度由于退火效应而降低。双介质栅结构的E+E传感器采用Metal-Si3N4-SiO2-Si结构,在两种介质膜界面及其附近的Si3N4体内存在大量陷阱,这些陷阱足以存储辐照产生的全部空穴,从而杜绝或减少退火效应的发生,能够显著改善E+E传感器的灵敏度性能。传统PMOS辐照检测E+E传感器一般采用单管,灵敏度不太高,提高灵敏度的手段主要是增加栅氧化层的厚度,在现有的工艺条件下生长1μm SiO2需要很长时间,受栅氧化时间的限制使用这种方法提升E+E传感器的灵敏度是有限的。引入新的设计方法——多管级联,可以有效提高E+E传感器的灵敏度,同时不需要增加氧化层厚度。对E+E传感器的不同级联方式进行研究:共衬级联方式随着级联管数的增加,E+E传感器的平均灵敏度成倍增长,但是其zui大级联管数受PMOSFET的衬底-漏极二极管的反向击穿电压的影响;不共衬级联方式不受级联管数的制约,但响应灵敏度低于同管数共衬级联方式。研究内容的基础上,论文第五章尝试对高灵敏度E+E传感器进行研究,探讨高灵敏度E+E传感器的实现方法,初步提出高灵敏E+E传感器的工艺设计方法并给出工艺仿真结果。